SiC SBD-P3D06002E2

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题,碳化硅二极管成本相对较低,已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。

特征

符合AECQ-101 | 100%UIS测试 | 极小的反向恢复损耗 | 优异的高温特性

优势

优异的性能 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 减小散热面积 | 车规级器件 | 降低系统成本 | 降低电磁干扰

应用领域

充电器

样品申请

P3D06002E2 · TO252-2 · 650V · 2A · 4.72nC · 10A · 1.5V · 18A