以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比与传统的硅基功率半导体器件，基于碳化硅和氮化镓的功率半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小，工作结温高，导热能力强等显著优势。因此，采用碳化硅和氮化镓功率半导体器件的电力电子变换器，可以显著提高开关频率，缩小散热器，储能元件和滤波器的体积，从而实现更高的转换效率和功率密度。碳化硅和氮化镓功率器件正在逐步替代传统硅基功率半导体器件，为电力电子变换器产业带来一场影响深远的变革。 派恩杰半导体专注于第三代半导体的设计与推广，拥有深厚的技术积累和全面的产业链优势。其中，派恩杰半导体的碳化硅MOSFET的设计水平处于行业前列，关键技术指标HDFM全球领先。派恩杰半导体在650V，1200V，1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，能够为客户提供全方位的选择和技术支持。派恩杰半导体的量产产品已在电动汽车，IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。