派恩杰竞争力
市场应用领域
以碳化硅为代表的第三代半导体器件是电力电子领域革命性的成果。
潜力与规模
功率半导体市场预计到2022年达到 每年350亿美金(约2800亿人民币)其市场增长速度,超过全球GDP增长。
技术与工艺
派恩杰已布局知识产权70+项,其中已授权27项,另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单、筛选测试方案等重要技术秘密。
团队与产品

团队优势

技术团队项目有领先的产品技术和持续研发能力。团队成员所拥有的产品技术领先国内3-5年,其中碳化硅MOSFET技术填补国内空白。技术团队本身具有技术知识储备,能够根据市场客户需求完成产品的迭代设计和定制开发。销售团队有精准的客户资源和完整的市场销售渠道。销售团队成员本身就已经充分掌握国内和亚太区域客户资源,包括国际龙头竞争对手的客户资源,另有从渠道总代理、区域分销商到终端客户的完成推广渠道。 运营团队有量产制造经验和完善组织架构履历。项目运营团队均来自上市同行企业,并在国内外同类企业工作多年,核心人员有着10年以上半导体行业工作和管理经验。在行业内有着广泛的人脉资源,有潜在人员储备。

产品优势

派恩杰产品有SiC SBD,SiC MOSFET以及GaN HEMT等,广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件;同年发布Gen3技术的1200V SiC MOSFET产品,技术指标国内领先;2020年公司推出650V、1700V SiC MOSFET产品,完成三大产品系列布局;2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品,丰富了650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品线,已发布100余款不同型号功率器件。其中SiC MOSFET产品已成功导入整车厂,Tier 1厂商。
核心奖项

2019年成为JC-70号标准委员会的主要成员公司之一

参与制定宽禁带半导体功率器件的国际标准,并握有一票

公司已布局核心知识产权24项

其中已授权8项,掌握碳化硅与氮化镓的器件全套工艺、筛选测试等重要技术