公司介绍

派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商。创始人黄兴博士于09年起专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发,师承IGBT发明人B. Jayant Baliga及晶闸管发明人 Alex Huang。黄兴博士深耕功率器件领域10余年,发布了多款高压碳化硅产品,多项发明专利。成立派恩杰后,仅用3年时间就量产多款高压MOSFET产品,始终保持行业领先。

  • 70项+
    知识产权
  • 28
    国内发明
  • 22
    实用新型
  • 3
    集成电路布图
  • 1
    软著

发展历程

回视派恩杰每一个当下的改变
七月
2021
完成1200V 62mm SiC模块开发
二月
2021
首次开发验证1200V大电流车级MOSFET产品
十一月
2020
完成1200V SiC SBD的研发与量产,发力于光伏与充电桩计划
一月
2020
首次开发验证650V、1700V工业级MOSFET产品
十月
2019
完成650V SiC SBD的研发与量发,发力服务器及数据中心
八月
2019
完成Gen3技术1200V SiC MOSFET填补了国内空白
三月
2019
发布第一款可兼容驱动650V GaN功率器件