SiC MOSFET-P3M06040K3

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET,提供更高性价比。

特征

符合AECQ-101 | 超小型Qgd | 卓越的栅氧层可靠性 | 优异的高温特性 | +15/-3V驱动 | 100%UIS测试

优势

优异的性能 | 适合硬开关 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 车规级器件 | 适合双向拓扑 | 减小散热器尺寸 | 降低系统成本

应用领域

光伏逆变器系统,储能系统,电机驱动,新能源车用OBC

样品申请

P3M06040K3 · 650V · TO247-3 · 40mΩ · 68A · 20.5nC · 243pF · 175°C