专业可靠！派恩杰CEO黄兴博士受邀为台达集团研发部门做IGBT授课分享

近日，派恩杰CEO黄兴博士应邀，为台达集团研发部门做IGBT相关知识的授课分享。

黄兴博士毕业于美国北卡州立大学，师承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家技术创新奖章）与Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管（ETO）的发明者）。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验，在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目，曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。2018年成立派恩杰半导体，立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。在IGBT领域，黄兴博士也有丰富的理论和工作经验。

黄博士从IGBT的基础理论入手，从四个大方面详细讲述了IGBT器件与碳化硅器件在物理以及工作原理的对比、两者在设计上考虑的权衡，晶圆的制作处理以及它们在应用方面的可靠性和性能优越性对比。黄博讲解耐心，答疑细致，收获了参会同学的广泛好评~

本次授课于线上进行，小派特意保存了授课视频，供各位有需要的同学学习，视频请扫码↓↓↓

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