技术支持 器件评估板 SiC MOSFET双脉冲评估板 SiC MOSFET双脉冲评估板 PNDM12P242A1:下载技术文档 用于搭建650V/1200V TO247-3L/-4L 分立SiC MOSFET双脉冲测试平台,评估器件动态性能, 驱动电路设计以及门极电阻,驱动电压优化设计。 线路图 实物图 支持 biaot