氮化镓晶体管（GaN HEMT）
由于氮化镓材料的具有极低的热产生率和极高的击穿场强，基于氮化镓的功率器件GaN HEMT具有极小的导通压降和开关损耗，这使得基于GaN HEMT的开关电源可以工作在超过1MHz开关频率，使用体积极小的储能元件，从而到达极高的功率密度。因此，GaN HEMT在消费电子和IT电源领域有广泛的应用。
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Current Rating |
Package |
Qgd |
Output |
Data Sheet |
LT Spice Model |
Request Sample |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P1H06150BD | 650V | 150mΩ | 12A | 31.2nC | 43.9pF |  |  | |||
| P1H06300D8 |  | 650V | 300mΩ | 10A | DFN8*8 | 3.1nC | 27.3pF | | |
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