SiC MODULE-PAAA12600HM

特征

Silicon Carbide MOSFET | LoW RDSon | Low Switching Losses

优势

提升整体效率 | 提高功率密度 | 车规级器件 | 降低系统成本

样品申请

PAAA12600HM · 1200V · 1.6mΩ · 600A · ED3 · 175℃ · Half-Bridge