SiC MOSFET-P3M12040L8
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。
特征
High blocking voltage | Low on-state resistance | Low stray inductance | Low switching loss | Low thermal resistance
优势
Improve System Efficiency | Increase Power Density | Reduce Heat Sink Requirements | Reduction of System Cost