SiC MOSFET-P3M06300T3

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性,1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源,派恩杰对此SiC MOSFET进行优化,可以使用0V电压关断,多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET,提供更高性价比。

特征

符合AECQ-101  |  超小型Qgd  |  卓越的栅氧层可靠性  |  优异的高温特性  |  100%UIS测试

优势

优异的性能  |  适合消费类快充  |  减小系统体积  |  提升整体效率  |  车规级器件  |  降低系统成本

应用领域

储能系统,消费电源,充电器,适配器

样品申请

P3M06300T3 · 650V · TO220-3 · 300mΩ · 9A · 2.75nC · 39.4pF · 175°C