碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用TO263-7紧凑型 7 引脚贴片封装形式， 该封装可进一步降低开关损耗，提升功率密度，可以机器贴装，增强可靠性。