2021中国智造「金长城」奖揭晓，派恩杰半导体获评“年度最具成长性企业”
浏览量：686 | 2021年10月15日
派恩杰喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业 ”
正如派恩杰半导体总裁黄兴先生在本届中国制造业年会-半导体产业的颠覆式创新圆桌讨论所分享的那样，中国在以硅（Si）为代表的第一代半导体材料，与国际企业的差距最大，到砷化镓（GaAs）代表的第二代半导体材料已经有突破的迹象，而在以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料方面则有追赶和超车的良机。派恩杰半导体刚好赶上了这一时机，潜心研发，开发出了可以与国际企业一争高下的高性能SiC功率器件产品。这些产品将应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等领域，目前已有一些全球一线客户导入使用。派恩杰半导体表示，将会持续投入和加强自主研发能力，不断带给客户先进SiC技术和方案，帮助客户创新产品、改善产品、提升产品。
2021「金长城」智造业竞争力研究荣誉榜隆重发布
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