SiC SBD-P3D06060K2
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作，派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景
特征
符合AECQ-101 | 超小型Qgd | 卓越的栅氧层可靠性 | 优异的高温特性 | +15/-3V驱动 | 100%UIS测试
优势
优异的性能 | 适合硬开关 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 车规级器件 | 适合双向拓扑 | 减小散热器尺寸 | 降低系统成本