产品中心 碳化硅二极管（SiC SBD） SiC SBD-P3D12040K3 SiC SBD-P3D12040K3 碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作，派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景 特征 符合AECQ-101 | 100%UIS测试 | 极小的反向恢复损耗 | 优异的高温特性 优势 优异的性能 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 减小散热面积 | 车规级器件 | 降低系统成本 | 降低电磁干扰 应用领域 充电桩 Datasheet 样品申请 P3D12040K3 · TO247-3 · 1200V · 40A · 2×87nC · 83A · 1.5V · 150A 请选择一种申请： 样品申请 产品询价 咨询 企业名称：* This field is required 企业所在地：* This field is required 企业邮箱：* This field is requiredExzample: name@domain.com 联系人： 电话： Please enter a valid phone number 项目信息： 备注：* This field is required 验证码：* This field is required 确认提交
