SIC MOSFET-P3M12080K4

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。

特征

符合AECQ-101 | 超小型Qgd | 卓越的栅氧层可靠性 | 优异的高温特性 | +15/-3V驱动 | 100%UIS测试

优势

优异的性能 | 适合硬开关 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 车规级器件 | 适合双向拓扑 | 减小散热器尺寸 | 降低系统成本

应用领域

充电桩,新能源车用OBC,11/20kw 双向OBC架构,60kw 双向OBC架构,车用辅助电源

样品申请

P3M12080K4 · 1200V · TO247-4 · 80mΩ · 38A · 12.3nC · 73.6pF · 175℃