欢迎进入派恩杰半导体(杭州)有限公司官方网站!

热线电话:0571-88263297

2021中国智造「金长城」奖揭晓,派恩杰半导体获评“年度最具成长性企业”

网站首页    资讯信息    2021中国智造「金长城」奖揭晓,派恩杰半导体获评“年度最具成长性企业”

2021年10月12日,《21世纪经济报道》主办的“2021中国智造业年会”会上,揭晓了“2021中国智造「金长城」奖”的评选结果。派恩杰半导体(杭州)有限公司(以下简称派恩杰半导体)凭借全球领先的SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣。

 

 

 

恩杰喜获”「金长城」奖-年度最具成长性企业

 

正如派恩杰半导体总裁黄兴先生在本届中国制造业年会-半导体产业的颠覆式创新圆桌讨论所分享的那样,中国在以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,与国际企业的差距最大,到砷化镓(GaAs)代表的第二代半导体材料已经有突破的迹象,而在以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料方面则有追赶和超车的良机。派恩杰半导体刚好赶上了这一时机,潜心研发,开发出了可以与国际企业一争高下的高性能SiC功率器件产品。这些产品将应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等领域,目前已有一些全球一线客户导入使用。派恩杰半导体表示,将会持续投入和加强自主研发能力,不断带给客户先进SiC技术和方案,帮助客户创新产品、改善产品、提升产品。

 

2021「金长城」智造业竞争力研究荣誉榜隆重发布
https://m.21jingji.com/article/20211013/herald/e0152f433ed0e6ea22c274e0f804c580.html
 

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

美国北卡州立大学博士,师承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE终身会员,美国科学院院士,IGBT发明者,奥巴马授予国家技术创新奖章)与Dr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管(ETO)的发明者)。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验,曾参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目,曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。累计发布10余篇科技论文,超过350次引用,20余项专利发明。

 

 

 


样品申请

sales@pnjsemi.com

2021年10月15日 11:07
浏览量:0