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CORE STRENGTHS

技术传承正统

研发积淀深厚

行业人脉资源丰富

核心优势

参与制定宽禁带半导体功率器件的国际标准,并握有一票投票权。

2019年成为JC-70号标准委员会的主要成员公司之一

派恩杰已布局知识产权24项
其中已授权8项,另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单、筛选测试方案等重要技术秘密

派恩杰技术工艺竞争力

公司已布局核心知识产权24项

其中已授权8项,另掌握碳化硅与氮化镓的器件全套工艺菜单、筛选测试方案等重要技术秘密

功率半导体市场预计到2022年达到 每年350亿美金(约2800亿人民币)其市场增长速度,超过全球GDP增长。

市场潜力和规模

以碳化硅为代表的第三代半导体器件是电力电子领域革命性的成果

市场应用领域

“技术传承正统,研发积淀深厚,行业人脉资源丰富
具有碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOS管和氮化镓晶体管产品量产经验,掌握核心技术秘密”
“具有第三代半导体营销渠道和销售组织,和全产业链布局和操盘能力。”

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团队优势

技术团队项目有领先的产品技术和持续研发能力。团队成员所拥有的产品技术领先国内3-5年,其中碳化硅MOS技术填补国内空白。技术团队本身具有技术知识储备,能够根据市场客户需求完成产品的迭代设计和定制开发。销售团队有精准的客户资源和完整的市场销售渠道。销售团队成员本身就已经充分掌握国内和亚太区域客户资源,包括国际龙头竞争对手的客户资源,另有从渠道总代理、区域分销商到终端客户的完成推广渠道。 运营团队有量产制造经验和完善组织架构履历。项目运营团队均来自上市同行企业,并在国内外同类企业工作多年,核心人员有着10年以上半导体行业工作和管理经验。在行业内有着广泛的人脉资源,有潜在人员储备。

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派恩杰产品

派恩杰第一代650V氮化镓HEMT器件经过第三方对比测试,样品数据对标英飞凌,我司的产品频率特性可提高100%,原材料成本低10%,综合损耗低70%,综合良率水平90%以上,具备量产条件。第二代产品联合开发,设计方案对标Navitas,进行中。 碳化硅MOS产品设计性能经过实测,主要参数指标符合设计要求,该产品是使用6英寸可量产的Gen3水平碳化硅MOS技术,填补国内空白,样品已开始送样。预计2020年一季度推向市场。针对车用市场开发的1200V大电流系列产品已开始设计流片,预计2020年第三季度末推向市场。

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