SIC MOSFET-P3M171K0T3

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性,1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源,派恩杰对此SiC MOSFET进行优化,可以使用0V电压关断,多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET,提供更高性价比。

特征

符合AECQ-101 | 超小型Qgd | 卓越的栅氧层可靠性 | 优异的高温特性 | 0V关断 | 100%UIS测试

优势

优异的性能 | 适合高压下辅助电源 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 车规级器件 | 减小散热器尺寸 | 降低系统成本 | 无需更改驱动直接替换高压Si器件

应用领域

光伏逆变器系统,储能系统,电机驱动,新能源车用OBC

样品申请

P3M171K0T3 · 1700V · TO220-3 · 1000mΩ · 6A · 2.5nC · 8.9pF · 175°C